MT47H64M8CB-3:B TR 全國供應商、價格、PDF資料

MT47H64M8CB-3:B TR詳細規(guī)格

類別：存儲器

描述：IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA

系列：-

制造商：Micron Technology Inc

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：DDR2 SDRAM

存儲容量：512M（64M x 8）

速度：3ns

接口：并聯(lián)

電壓_電源：1.7 V ~ 1.9 V

工作溫度：0°C ~ 85°C

封裝/外殼：60-FBGA

供應商器件封裝：60-FBGA

包裝：帶卷 (TR)

• MT48LC4M16A2P-75 L:G TR

  存儲器    Micron Technology Inc    54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）    IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP

• MCR18ERTFL1R30

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 1.30 OHM 1/4W 1% 1206 SMD

• MT47H64M8B6-3:D TR

  存儲器    Micron Technology Inc    60-FBGA    IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA

• MVY16VC221MF80TP

  電容器    United Chemi-Con    徑向，Can - SMD    CAP ALUM 220UF 16V 20% SMD

• MT-2

  接線座 - 隔板塊    Curtis Industries    184-DIMM    TERM BARRIER 2CIRC DUAL ROW

• MCR03EZPFX57R6

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 57.6 OHM 1/10W 1% 0603 SMD

• MV-127127-10-8A

  標簽，標記    TE Connectivity    模塊    LABEL ID PRODUCT

• MX25L1606EZUI-12G

  存儲器    Macronix    8-UDFN 裸露焊盤    IC FLASH SERIAL 3V 16MB 8USON

• MT48LC4M16A2TG-75 IT:G TR

  存儲器    Micron Technology Inc    54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）    IC SDRAM 64MBIT 133MHZ 54TSOP

• MVY16VC331MH10TP

  電容器    United Chemi-Con    徑向，Can - SMD    CAP ALUM 330UF 16V 20% SMD

• MCR03EZPFX5900

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    0603（1608 公制）    RES 590 OHM 1/10W 1% 0603 SMD

• MT2000-2.0-X-SP

  熱縮管    TE Connectivity    184-DIMM    HEAT SHRINK TUBING

• MV14-610RX-BOTTLE

  端子 - 環(huán)形    3M    模塊    CONN RING INSUL 16-14AWG 100PC

• MX25L3206EZUI-12G

  存儲器    Macronix    8-UDFN 裸露焊盤    IC FLASH SER 3V 32MB 86MHZ 8USON

• MCR18ERTFL3R30

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 3.30 OHM 1/4W 1% 1206 SMD